日前，復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室周鵬、劉春森團隊成功研制“破曉”閃存器件，擦寫速度達到400皮秒，比傳統(tǒng)閃存的擦寫速度快100萬倍，是人類迄今掌握的最快半導體電荷存儲器件。北京時間4月16日晚，相關(guān)成果發(fā)表于國際頂尖期刊《自然》。

團隊基于器件物理機制的創(chuàng)新，持續(xù)推進高速非易失性閃存技術(shù)的研發(fā)。通過巧妙結(jié)合二維狄拉克能帶結(jié)構(gòu)與彈道輸運特性，調(diào)制二維溝道的高斯長度，從而實現(xiàn)溝道電荷向存儲層的超注入。這一超注入機制與現(xiàn)有閃存電場輔助注入規(guī)律截然不同：傳統(tǒng)注入規(guī)律存在注入極值點，而超注入則表現(xiàn)為無限注入。團隊構(gòu)建了準二維高斯模型，成功從理論上預測了超注入現(xiàn)象，并據(jù)此研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術(shù)?！捌茣浴贝鎯ζ骷姆€(wěn)定性高度依賴工藝流程的一致性。通過AI算法對工藝測試條件實現(xiàn)科學優(yōu)化，極大推動技術(shù)創(chuàng)新與落地。

二維超注入機制將非易失存儲速度提升至～1T的理論極限，標志著現(xiàn)有存儲技術(shù)邊界將被重新定義。閃存作為性價比最高、應(yīng)用最廣泛的存儲器，一直是國際科技巨頭技術(shù)布局的基石。團隊研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù)，不僅有望改變?nèi)虼鎯夹g(shù)格局，進而推動產(chǎn)業(yè)升級并催生全新應(yīng)用場景，還為我國在相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)提供強有力支撐。