王琛入選2023年度《麻省理工科技評論》“TR35”
2024-07-11 20:10:24 看看新聞Knews綜合
王琛在業(yè)內(nèi)率先提出了原子層半導(dǎo)體分子超晶格新材料體系,為攻克新型高性能半導(dǎo)體器件研制的材料瓶頸提出全新的解決方案。面對后摩爾時代芯片互聯(lián)材料在納米尺度的強量子效應(yīng),王琛發(fā)展了適用于后摩爾芯片納米尺度互聯(lián)新材料體系和工藝方案。在芯片器件三維高密度集成領(lǐng)域,他通過發(fā)展新型的中間結(jié)層設(shè)計和工藝方案,突破了器件三維集成的層級限制和領(lǐng)域商業(yè)化瓶頸。此外,他通過發(fā)展高度可集成的硅通孔材料和工藝,實現(xiàn)了晶圓級多模式的立體多源異構(gòu)集成微系統(tǒng)芯片的技術(shù)突破。入選理由:從“原理-材料-器件-集成-芯片”五個維度開展芯片硬科技基礎(chǔ)問題探索和技術(shù)圖譜繪制,基于新材料研發(fā)全適配器件,高效推動后摩爾芯片的突破。
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